Математические и компьютерные модели устойчивости упругого и вязкопластического деформирования. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография. – Андрей Бычков

Рассмотрены модели релаксации полупроводниковой пленки на подложке и однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала. Учитывается изменение упругой энергии несоответствия за счет дислокационной перестройки и
механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации в пленке и пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости.
Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых
дислокаций.